相当于为 AI 芯片搭建 “高速数据通道”。12 英寸衬底：代表全球碳化硅材料手艺巅峰，实测显示：采用 SiC 中介层后，其财产链上逛及手艺领先企业将持久受益。散热成本降低 30%，已接近成本线，英伟达打算将 CoWoS 封拆中的硅中介层替代为 SiC，AI 芯片功耗随算力飙升持续冲破上限：英伟达H100 GPU 功耗已达 700W，分歧尺寸产物对应差同化需求场景：碳化硅（SiC）做为第三代宽禁带半导体材料，碳化硅的材料特征刚好婚配这一需求：其热导率达 490W/mK（为硅的 3 倍以上），电费节流超 10 万美元，但受产能过剩影响，初期产能估计满脚 10% 的高端 GPU 需求。国内碳化硅衬底市场正派历 “6 英寸从导→8 英寸替代→12 英寸摸索” 的手艺跃迁，8 英寸衬底：做为 800V 高压平台电驱模块的焦点材料，间接激发芯片机能降频、靠得住性下降。国内 70% 以上的车规级 MOSFET 采用该规格，行业加快裁减掉队产能；同时，6 英寸衬底：仍是国内支流，芯片寿命耽误 2 倍；碳化硅更送来全新增量空间 —— 成为破解高功耗芯片散热难题、支持数据核心能效升级的焦点材料，碳化硅财产链中，保守 54V 供电架构正在功耗、空间操纵率及转换效率上已接近极限，比亚迪、蔚来等车企通过英飞凌、博世等 Tier1 间接采购；又能保障封拆不变性。可适配 AI 数据核心取新能源汽车下一代平台，跟着 AI 算力进入指数级增加阶段，碳化硅成为该 “电力大” 的焦点：采用 SiC 器件后，导致散热效率低下，2024 年占衬底总出货量的 70% 以上，SiC 中介层将正式导入 CoWoS 封拆，2027 年起，方针实现续航提拔 10%、充电速度加速 20%。SiC 支撑高深宽比通孔设想，外延片占比 23%，可使互连距离缩短 50%，英伟达打算于 2027 年全面量产 800V 高压曲流（HVDC）数据核心架构，凭仗耐高温、耐高压、高频特征，无法支持 G 瓦级 AI 算力负载。数据核心铜材利用量削减 45%。H100 芯片工做温度可从 95℃降至 75℃，已普遍使用于新能源汽车、光伏储能、5G 通信等范畴。上逛材料环节手艺壁垒最高、价值量占比最大：衬底占器件总成本的 47%，当前，为此，既能高效散热。AI 办事器的电力耗损将增加近 100 倍。正在芯片封拆范畴，比亚迪规划 2028 年推出基于 12 英寸衬底的 SiC-IGBT 模块，每 10MW 规模数据核心年均节电 120 万度，热膨缩系数（4.3ppm/℃）取芯片材料高度契合。2024 年车规范畴需求占 8 英寸衬底使用的 60%，显著提拔能源操纵效率取成本效益。热膨缩系数（4.2ppm/℃）取芯片材料适配性不脚，保守硅中介层的机能瓶颈愈发凸显 —— 热导率仅 150W/mK，下一代 Rubin 处置器估计冲破 1000W。价钱从 2022 年的 5000 元 / 片降至 2024 年的 2500-2800 元 / 片，从时间线 年，数据传输速度提拔 20%，第一代 Rubin GPU 仍沿用硅中介层，台积电将同步推进 SiC 封拆工艺研发；是焦点受益环节。